掺氟氧化锡(SnO2:F)纳米粉末的制备

• 作者: 侯宝峰 刘孝宁 孙本双 李军义
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电氧化物 掺氟氧化锡 纳米粉末
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 30-32
• 分类号: TF123.7+2|TB34
• 字数: 2238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.09.009

摘要

以SnCl4·5H2O、氨水和HF酸为主要原料,用化学方法制取了掺氟氧化锡(FTO)纳米粉末.用XRD、SEM分别研究了FTO粉末的相结构和形貌,用比表面仪测定了粉末比表面积,同时测试了FTO粉末的电阻率.结果表明:FTO粉末是四方晶系金红石结构;在500℃下焙烧制取的粉末电阻率最低,为50Ω·m,比表面积为61.00m2/g.采用无水酒精球磨分散等步骤,可有效防止粉末团聚.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙本双		12	112	4.0	10.0
3	李军义		6	21	3.0	4.0
9	刘孝宁		2	38	1.0	2.0
10	侯宝峰		1	0	0.0	0.0