IR新型-30VP沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: P沟道MOSFET 功率MOSFET IR 国际整流器公司 设计 SO-8封装 负载开关 功率半导体
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 75
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（InternatfOnalRectifier，简称IR）推出新系列-30V器件，采用IR最新的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统／负载开关。新款P沟道器件的导通电阻（nDS（on））为4．6mΩ至59mΩ，可匹配广泛的功率要求。P沟道MOSFET无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统／负载开关应用非常理想的解决方案。