ZnO薄膜的p型掺杂

• 作者: 缪世群
• 来源期刊: 科学时代（上半月）
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 薄膜 P型掺杂
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 84-85
• 分类号: TQ13
• 字数: 2325字
• 语种: 中文

摘要

氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料.氧化锌为本征n型半导体,存在诸多本征施主缺陷(如氧空位Vo和间隙Zni等),对受主掺杂产生高度自补偿作用,加之受主杂质有限的固溶度或较深的受主能级,使得ZnO薄膜的p型掺杂非常困难.目前,关于ZnO薄膜的p型掺杂理论上已有所研究,但尚未形成共识;实验上,已有ZnO薄膜的p型掺杂成功地报道,但重复性不好.本文旨在在对ZnO薄膜的p型掺杂的理论和实践进行梳理和总结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	缪世群	江苏省南通大学理学院	1	0	0.0	0.0