基于MEMS工艺的硅基红外辐射源研制

• 作者: 吴传贵 唐志军 彭强祥 罗文博 董晓辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 红外辐射源 微机电系统 调制深度
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-44
• 分类号: TN215
• 字数: 2276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.12.012

摘要

利用微机电系统( MEMS)制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源.该辐射源采用单晶硅为衬底,通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜,并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层.研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响.结果表明,随着支撑层厚度的减小,红外辐射源的调制驱动电压会降低.当支撑层厚度为1μm时,辐射源调制频率在50％的调制深度下达13 Hz,其频响特性已基本满足红外传感器系统的应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴传贵	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	27	96	5.0	8.0
2	罗文博	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	25	79	5.0	6.0
3	彭强祥	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	19	2.0	3.0
4	董晓辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	唐志军		1	2	1.0	1.0