生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响

• 作者: 庞炳远 索开南 闫萍
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 区熔炉 高阻 硅单晶 电阻率径向分布
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 11-13,38
• 分类号: TN304.05
• 字数: 3137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.09.003

摘要

分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、（1.5～4.5）×103Ω.cm和P型、（1.0～5.0）×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为〈111〉。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈几何结构（包括上下表面角度、内径尺寸及台阶设计）基本相同、单晶生长速率相同且上、下晶轴旋转具有相同配置的情况下,不同的单晶生长系统所生长的单晶,其电阻率径向均匀性有明显差异,用L4575-ZE区熔炉生长的单晶的电阻率径向分布更均匀。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	索开南	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	27	3.0	4.0
2	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
3	庞炳远	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	3.0