退火温度对MnZn铁氧体薄膜性能的影响

• 作者: 余忠 兰中文 史富荣 孙科 李金龙 李雪
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: MnZn铁氧体薄膜 射频磁控溅射 相结构 饱和磁化强度 矫顽力
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 22-25
• 分类号: TM277.1
• 字数: 2467字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2011.02.008

摘要

采用射频磁控溅射法在Si(111)基片上沉积了MnZn铁氧体薄膜,用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的物相结构,用振动样品磁强计(VSM)测量薄膜面内饱和磁化强度M.和矫顽力Hc.结果表明:随着退火温度的升高,MnZn铁氧体薄膜的X射线衍射峰强度逐渐增强,且主峰逐渐由(311)峰变为(222)峰,沿(111)面取向生长明显.薄膜的饱和磁化强度和矫顽力均随着退火温度的升高而升高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	兰中文	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	111	1184	19.0	29.0
2	余忠	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	842	16.0	26.0
3	孙科	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	53	316	9.0	15.0
4	李金龙	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	28	4.0	5.0
5	李雪	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	9	44	4.0	6.0
6	史富荣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	9	2.0	2.0