基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计

• 作者: 华晨辉 方健 高大伟
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄外延 D-RESURF 双阱高压LDMOS VLD
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN432

摘要

文中针对高压节能应用领域,开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺,实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4.5μm,漂移区长度缩减至70μm,使得芯片面积和制造成本大幅减小。并通过仿真设计,优化了器件结构的表面电场分布,使反向击穿电压达到700V的同时,使器件导通电阻降为33Ω·mm2。流片结果表明,功率管可以达到设计要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方健	电子科技大学IC设计中心	35	304	9.0	16.0
2	华晨辉	电子科技大学IC设计中心	5	21	2.0	4.0
3	高大伟	电子科技大学IC设计中心	4	2	1.0	1.0