相变存储靶材的制备和镀膜性能研究

• 作者: 储茂友 林阳 王博 王星明
• 来源期刊: 热加工工艺
• 学科: 工学
• 关键词: Ge2Sb2Te5 靶材 热压烧结 相变 镀膜
• 年，卷（期）: 2011,（18）
• 所属期刊栏目: 表面改性技术
• 页码范围: 112-115
• 分类号: TG174.44
• 字数: 2925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3814.2011.18.034

摘要

采用热压法制备Ge2Sb2Te5相变存储材料用靶材,研究了制备工艺对靶材微观结构与致密度的影响.结果表明:随保温时间的延长,靶材致密度升高.Ge2Sb2Te5靶材适宜的制备条件为570℃、10 MPa、4h,在该条件下制备的靶材主相含量达到95％,致密度达到98％,可满足制备薄膜的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储茂友		25	211	10.0	14.0
2	王博		79	292	9.0	14.0
3	王星明		24	157	9.0	12.0
4	林阳		2	4	1.0	2.0