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摘要:
采用接触式紫外光刻和反应离子刻蚀工艺在ZnS衬底上制备二维亚波长结构抗反射表面.在优化的光刻工艺下,以CH4、H2及Ar的混合气体为刻蚀剂,研究了刻蚀工艺对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响.结果表明,刻蚀速率随着射频功率的增大线性增大,随着工作压强的增加先增大后减小,随着CH4含量的增大先增大后降低.功率过大会导致刻蚀产物发生二次沉积,CH4流量过高会导致聚合物的生成加剧,这些都会影响刻蚀形貌.最后在优化的刻蚀工艺下制备出了8~12 μm波段具有较好的宽波段增透效果的二维亚波长结构.
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文献信息
篇名 ZnS衬底上二维亚波长结构抗反射表面的制备及性能研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 二维亚波长结构 抗反射 反应离子刻蚀 刻蚀形貌
年,卷(期) 2011,(5) 所属期刊栏目 功能薄膜
研究方向 页码范围 579-583
页数 分类号 TN305.7|TN405.98
字数 3167字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.05.14
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李阳平 凝固技术国家重点实验室西北工业大学材料学院 3 9 2.0 3.0
2 刘正堂 凝固技术国家重点实验室西北工业大学材料学院 7 21 3.0 4.0
3 武倩 凝固技术国家重点实验室西北工业大学材料学院 1 4 1.0 1.0
4 徐启远 凝固技术国家重点实验室西北工业大学材料学院 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
二维亚波长结构
抗反射
反应离子刻蚀
刻蚀形貌
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
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