SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性

• 作者: 丁玉洁 温殿忠 王天琦 赵晓锋
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米多晶硅薄膜 低压化学气相沉积(LPCVD) 迁移率
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 256-259
• 分类号: TN307
• 字数: 2329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2011.03.014

摘要

采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm＜100＞晶向单晶硅衬底SiO2 层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30nm、63nm和98nm.对不同薄膜厚度 的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征,随着薄膜厚度的增加,沉积态薄膜结晶显著增强,择优取向为＜11l＞晶向.通过Hp4145B型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳米多晶硅薄膜电阻I-V特性测试发现,随着薄膜厚度的增加,薄膜电阻率减小,载流子迁移率增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	51	330	10.0	15.0
5	赵晓锋	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	27	123	8.0	10.0
9	王天琦	黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室	3	23	2.0	3.0
13	丁玉洁	黑龙江大学集成电路重点实验室	2	21	2.0	2.0