氢化微晶硅薄膜沉积的气相反应过程模拟

• 作者: 何宝华 杨仕娥 郭巧能
• 来源期刊: 郑州大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: μc-Si:H薄膜 气相反应 数值模拟
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 56-61,66
• 分类号: O484
• 字数: 4313字
• 语种: 中文

摘要

以SiH4和H2为反应气源,建立了等离子体增强化学气相沉积法制备氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的气相反应模型,模拟了硅烷浓度、等离子体参数(如电子温度Te和电子密度ne)等对气相反应的影响.结果表明:SiH3是μc-Si:H薄膜的主要沉积前驱物；随着硅烷浓度增大,等离子体中SiH3等前驱物的浓度增大,而H原子的浓度快速下降,二者的浓度比(H/SiH3)随之降低；随着Te和ne的增大,H原子的浓度单调升高,SiH3等前驱物的浓度先增大然后趋于饱和,H/SiH3比值增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
2	郭巧能	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	22	50	4.0	6.0
3	何宝华	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0