a-Si厚度对TFT开关特性的影响

• 作者: 侯智 刘祖宏 刘锋 李斗熙 沈世妃 郑载润 闫方亮
• 来源期刊: 现代显示
• 学科: 工学
• 关键词: TFT a-Si厚度 电学特性 工作电流 阈值电压 迁移率
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 23-28
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-6268.2011.07.008

摘要

通过在线电学测试设备,研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度,在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明,在其它条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好,a-Si剩余厚度小于33%之后,TFT的电学特性变差,即工作电流变小,阈值电压变大,迁移率变小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祖宏		3	12	2.0	3.0
2	侯智		3	12	2.0	3.0
3	郑载润		2	12	2.0	2.0
4	刘锋		2	12	2.0	2.0
5	闫方亮		1	10	1.0	1.0
6	沈世妃		1	10	1.0	1.0
7	李斗熙		1	10	1.0	1.0