铝膜沉积温度对铝诱导结晶化多晶硅薄膜性能的影响

• 作者: 刘斌 张磊 杨超 沈鸿烈 陈海力
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 铝膜沉积温度 铝诱导晶化 多晶硅薄膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 370-373
• 分类号: O484.1|TN304.55
• 字数: 3043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.04.005

摘要

以超白玻璃为衬底,采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜,经自然氧化形成二氧化硅层,最后利用磁控溅射 法在不同衬底温度下沉积铝膜,制备了glass/Si/SiO/Al叠层结构并对其进行铝诱导晶化形成多晶硅薄膜.用X射线衍射,光学显微镜和拉曼光谱对样品进行了分析.结果表明,铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜的晶粒大小随着铝膜沉积温度的升高 而变小,且晶化能力及结晶质量也逐渐变差,当铝膜沉积温度升高至200℃以上时甚至不发生铝诱导晶化现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨超	南京航空航天大学材料科学与技术学院	17	74	5.0	8.0
2	张磊	南京航空航天大学材料科学与技术学院	82	468	13.0	16.0
3	刘斌	南京航空航天大学材料科学与技术学院	50	2075	20.0	45.0
4	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
5	陈海力	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	3	1.0	1.0