SiB437EDKT：P沟道TrenchFET功率MOSFET

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET P沟道 SiB437EDKT 电子元件
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 38-38
• 分类号: TN602
• 字数: 1068字
• 语种: 中文

摘要

VishayIntertechnology推出占位面积为1．6mm×1．6mm、高度小于0．8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。