Mg质量分数及缓冲层对ZnMgO:Ga薄膜性能的影响

• 作者: 叶志镇 曹铃 朱丽萍 袁伟
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: PLD 柔性衬底 镓掺杂锌镁氧 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 材料工程、化学工程
• 页码范围: 2050-2054,2062
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2011.11.027

摘要

为了解决氧化锌在柔性电子器件应用方面的问题,利用脉冲激光沉积法(PLD)在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上室温下制备镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)和镓掺杂Zn1-xMgxO(Zn1-xMgxO:Ga)透明导电薄膜,采用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜,霍尔效应测试仪,紫外-可见光分光光度计对结构和性能进行表征,探讨靶材中镁质量分数对薄膜结构及光电性能的影响,并采用预沉积ZnO无机缓冲层法来改善薄膜样品的性能.研究结果表明,在柔性衬底上通过优化生长参数制备出性能良好的ZnO基透明导电薄膜,通过缓冲层的预沉积可以明显改善薄膜的结构和电学性能,薄膜电阻率最低可至8.27×10-4Ω·cm,在可见光区平均透射率超过70％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁伟		21	280	9.0	16.0
2	朱丽萍		39	267	10.0	15.0
3	叶志镇		155	1638	21.0	35.0
4	曹铃		1	0	0.0	0.0