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摘要:
该文综述了利用外延技术在高失配度的基片上生长同质或者异质缓冲层能够提高AZO薄膜的质量.重点阐述不同工艺条件下制备缓冲层对AZO薄膜光电性能影响,介绍AZO薄膜发展近况,并指出目前AZO薄膜发展瓶颈,展望了其未来发展趋势.
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文献信息
篇名 缓冲层对AZO薄膜光电性能的影响
来源期刊 实验科学与技术 学科 物理学
关键词 AZO薄膜 外延技术 缓冲层
年,卷(期) 2016,(3) 所属期刊栏目 实验技术
研究方向 页码范围 36-40
页数 5页 分类号 O484
字数 3369字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-4550.2016.03.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 肖立娟 吉首大学物理与机电工程学院 9 15 3.0 3.0
2 霍堡垒 吉首大学物理与机电工程学院 2 2 1.0 1.0
3 周媛 吉首大学物理与机电工程学院 2 2 1.0 1.0
4 吴忆华 吉首大学物理与机电工程学院 1 2 1.0 1.0
5 徐忠平 吉首大学物理与机电工程学院 1 2 1.0 1.0
6 陈耀星 吉首大学物理与机电工程学院 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
AZO薄膜
外延技术
缓冲层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
实验科学与技术
双月刊
1672-4550
51-1653/T
大16开
四川省成都市建设北路二段4号
62-287
2003
chi
出版文献量(篇)
5811
总下载数(次)
11
总被引数(次)
26929
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