BaWO4掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响

• 作者: 吴孟强 姜锐 彭森 肖勇 陈黎
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 掺杂 介电性能 微波介质陶瓷
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与制剂
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TM277
• 字数: 3990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.11.001

摘要

采用传统电子陶瓷工艺合成了BaWO4掺杂的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3( BMT)微波介质陶瓷,研究了质量分数w(BaWO4)从2％～8％变化对BMT微波介质陶瓷结构和微波特性的影响.实验结果表明:添加少量的BaWO4能明显改善BMT陶瓷的烧结性能,当w(BaWO4)=4％时,BMT陶瓷的烧结温度由纯相时的1650℃以上降至1400℃,其体积密度为7.562 g/cm3,相对密度达到99％,同时BMT陶瓷体系获得了良好的微波性能:εr26.7,Q·f=98 THz(8 GHz),τf=6.5×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴孟强	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	505	13.0	21.0
2	肖勇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	113	7.0	10.0
3	彭森	邵阳学院信息工程系	121	19	2.0	2.0
4	陈黎	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	53	4.0	6.0
5	姜锐	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	12	2.0	3.0