IR新款超小型PQFN2×2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 封装 应用 IR 低功率 超小型 国际整流器公司 功率半导体
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 页码范围: 76
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）扩展其封装系列，推出新款的PQFN2×2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFETMOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、