Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究进展

• 作者: 孔春阳 秦国平 黄桂娟
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: Zn1-xMgxO薄膜 宽禁带半导体材料 p型掺杂
• 年，卷（期）: 2011,（17）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 字数: 4750字
• 语种: 中文

摘要

Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注.获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键.概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔春阳	重庆师范大学物理与电子工程学院	28	226	7.0	14.0
2	秦国平	重庆师范大学物理与电子工程学院	8	40	3.0	6.0
3	黄桂娟	重庆师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0