外加氦气流下脉冲激光沉积制备纳米硅晶粒成核区宽度的计算

• 作者: 丁学成 博广生 梁伟华 王英龙 罗青山 褚立志 邓泽超 陈金忠
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 纳米Si晶粒 成核区宽度 脉冲激光沉积 外加气流 类平抛运动
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 145-149
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201138.1007001

摘要

在室温、10 Pa氦气氛围中,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过在烧蚀羽辉正上方距靶面不同位置垂直引入一束氦气流,在烧蚀点正下方与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜.扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)散射光谱和X射线衍射(XRD)谱检测结果均表明,纳米Si晶粒在距靶一定的范围内形成,其尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小.在分析衬底上的晶粒尺寸及其位置分布的基础上,结合流体力学模型、成核分区模型、热动力学方程以及晶粒形成后的类平抛运动,计算得出了纳米Si晶粒的成核区宽度为56.2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金忠		86	552	11.0	19.0
2	邓泽超		48	123	6.0	8.0
3	褚立志		47	155	7.0	10.0
4	丁学成		44	89	5.0	7.0
5	梁伟华		36	92	6.0	8.0
6	王英龙		96	301	9.0	12.0
7	罗青山		2	1	1.0	1.0
8	博广生		1	0	0.0	0.0