一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

• 作者: 樊艳 王丽侠
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 电源技术
• 页码范围: 164-166
• 分类号: TN43|TN72
• 字数: 2191字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6236.2011.08.050

摘要

为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,提出了一种在0.25μm N阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路.电路核心部分由双极晶体管构成,实现了VBE和VT的线性叠加,获得近似零温度系数的输出电压.T-SPICE软件仿真表明,在3.3 V电源电压下,当温度在-20～70℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数为10×10-6/℃,输出电压的标准偏差为1 mV,室温时电路的功耗为5.283 1 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丽侠	唐山学院信息工程学院	22	31	2.0	4.0
2	樊艳	唐山学院信息工程学院	5	16	2.0	4.0