一种低压高精度的CMOS带隙基准电压源

• 作者: 冯勇建 高国清
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 带隙 电源抑制比 温度系数 基准电压源
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳传感器与执行器
• 页码范围: 182-183
• 页数: 2页
• 分类号: TN431
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.062

摘要

采用0.5μm CMOS工艺设计了一种高精度低压基准电压源.提出了一种结构比较新颖的基准电压源电路,该基准电压源电路具有较低的温度系数、较大的温度范围和较高的电源抑制比.此外,还增加了提高电源抑制比电路、启动电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.Spice仿真结果表明:低频时电源抑制比可达70dB;在-40～120℃范围内,输出变化仅为0.004V,温度系数可达25×10-6V/℃;静态功耗小,在电源电压Vdd=3.3V时,总功耗约为0.025mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯勇建		103	953	15.0	26.0
2	高国清		1	2	1.0	1.0