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ZnO气敏薄膜元件外延中非故意杂质演变机制
ZnO气敏薄膜元件外延中非故意杂质演变机制
作者:
吴孔平
周孟然
李良光
蔡俊
黄友锐
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ZnO
变温霍尔效应
缓冲层
摘要:
采用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)方法在(0001)蓝宝石上生长了具有缓冲层的氧化锌(ZnO)薄膜.利用变温霍尔效应(TDH),电容电压测试仪(CV)和光致发光谱(PL)对其进行了表征.通过拟合变温霍尔效应的测试结果发现氧化锌缓冲层中存在两种浅施主能级,一种的热激活能在50 meV左右,另一种的激活能在10 meV左右.从对PL谱的带边锋的分峰拟合的结果来看也存在一个离导带有50 meV左右的浅能级.结合变温霍尔效应、CV和PL谱的分析结果表明:50 meV左右的施主浅能级很可能是由蓝宝衬底中的Al元素扩散至ZnO薄膜所致.
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文献信息
篇名
ZnO气敏薄膜元件外延中非故意杂质演变机制
来源期刊
安徽理工大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
ZnO
变温霍尔效应
缓冲层
年,卷(期)
2012,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
21-24
页数
分类号
TN304
字数
2293字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-1098.2012.03.005
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄友锐
安徽理工大学电气与信息工程学院
195
991
16.0
21.0
2
周孟然
安徽理工大学电气与信息工程学院
147
713
13.0
21.0
3
李良光
安徽理工大学电气与信息工程学院
73
254
8.0
12.0
4
吴孔平
安徽理工大学电气与信息工程学院
16
32
4.0
4.0
5
蔡俊
安徽理工大学电气与信息工程学院
23
100
6.0
9.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(5)
共引文献
(50)
参考文献
(5)
节点文献
引证文献
(1)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1998(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1999(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
2000(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2005(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2012(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2013(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
ZnO
变温霍尔效应
缓冲层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
安徽理工大学学报(自然科学版)
主办单位:
安徽理工大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1672-1098
CN:
34-1220/N
开本:
大16开
出版地:
安徽省淮南市泰丰大街168号
邮发代号:
26-135
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
1821
总下载数(次)
0
总被引数(次)
9119
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