多晶硅片少子寿命的影响因素研究与分析

• 作者: 于丽君 段晋胜
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅片 少子寿命 杂质含量 厚度 均匀性
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 材料制备工艺与设备
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2407字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2012.06.008

摘要

为了提高多晶硅片的转换效率，提高多晶硅片少子寿命是一个重要的方法和途径，然而在生产过程中影响多晶硅片少子寿命的因素有很多，主要有杂质含量，硅片厚度及晶粒尺寸均匀性等。通过对分凝原理的研究，利用微波光电导测试原理对多晶硅锭少子寿命的分布做了分析，并对硅片厚度及晶粒尺寸进行研究，经过研究发现，多晶硅片少子寿命主要受原料金属杂质含量的大小，硅片厚度及晶粒尺寸均匀性等因素的影响。