半导体器件辐射效应研究

• 作者: 刘忠立
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 抗辐射加固 研究动向
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 748-753
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 5530字
• 语种: 中文

摘要

在回顾半导体器件辐射效应取得丰富研究成果的基础上,介绍近年来半导体辐射效应研究的一些动向,其中包括航空及地面环境的单粒子效应、综合辐射环境下的辐射效应、化合物半导体器件的单粒子效应、光电器件的辐射效应、功率半导体器件的辐射效应、绝缘体上硅(SOI)CMOS集成电路的辐射效应及混合信号电路辐射加固设计技术,给出了一些典型的研究结果,并指出在这些效应方面应该继续研究的方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中科院微电子研究所	4	23	3.0	4.0