高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究

• 作者: 单尼娜 夏洋 宋李梅 王立新 韩郑生
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 高温 失效机理 加速寿命试验 PNP
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 测量与控制
• 页码范围: 76-78,81
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 1454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6236.2012.11.026

摘要

为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170-340℃温度范围内序进应力加速寿命试验，发现在170～240℃．240-290℃，以及290-340℃分别具有不同的失效机理，并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
3	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0
4	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
5	单尼娜	中国科学院微电子研究所	2	6	2.0	2.0