Effects of growth temperature on high-quality In0.2Ga0.8N layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Li Xuefei; Wang Jianfeng; Wu Yuanyuan; Yang Hui; Zhang Dongyan; Zheng Xinhe

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Effects of growth temperature on high-quality In0.2Ga0.8N layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy

作者：

Li Xuefei Wang Jianfeng Wu Yuanyuan Yang Hui Zhang Dongyan Zheng Xinhe

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篇名	Effects of growth temperature on high-quality In0.2Ga0.8N layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy
来源期刊	半导体学报（英文版）	学科	工学
关键词
年，卷（期）	2012,（10）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	21-24
页数		分类号	TN304.054
字数		语种	英文
DOI	10.1088/1674-4926/33/10/103001

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