溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响

• 作者: 关中杰 叶小松 李亮 杨宇 王茺 靳映霞
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 Ge/Si纳米点 表面形貌 热化
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1230-1234
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4967字
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射技术在Si（100）衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	靳映霞	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	22	112	6.0	9.0
4	关中杰	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	4	34	2.0	4.0
5	李亮	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	9	41	3.0	6.0
6	叶小松	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	2	2	1.0	1.0