氢化及沉积温度对掺铝ZnO透明导电薄膜性能影响

• 作者: 周洪彪 张化宇 王志刚
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: AZO薄膜 射频磁控溅射 氢化 衬底温度 电阻率
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 83-87
• 页数: 5页
• 分类号: TB332|TQ34
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝ZnO透明导电薄膜（AZO）。为了降低AZO薄膜的电阻率, 采用在溅射气氛中通入一定比例H2的方法对AZO薄膜进行氢化处理, 并研究了溅射气氛中H2含量及衬底温度对AZO薄膜氢化效果的影响。结果表明： 在低温条件下, 氢化处理能有效降低AZO薄膜的电阻率; 在衬底温度为100℃的低温条件下, 通过调节溅射气氛中H2的比例, 制备了电阻率为6.0×10^-4 Ω·cm的高质量氢化AZO薄膜, 该电阻值低于同等条件下未氢化AZO薄膜电阻值的1/3; 但随着衬底温度的升高, 氢化处理对薄膜电学性能的改善效果逐渐减弱。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志刚		8	39	4.0	6.0
2	张化宇		15	87	5.0	9.0
3	周洪彪		1	0	0.0	0.0