等离子增强化学气相沉积法制备Si-C-H薄膜

• 作者: 徐君 李生初 胡水江 黄小华
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 射频 Si-C-H薄膜 非晶态 结构 导电性能
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 79-82,86
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

以SiH4和CH4为气源,在不同的工艺条件下用增强化学气相沉积（PECVD）方法制备了一系列Si-C-H薄膜,并对薄膜的结构和性能进行了一系列测试分析,研究了薄膜的结构性能特点以及CH4/SiH4比和射频功率等工艺参数对薄膜结构和性能的影响。发现薄膜中主要形成的是嵌有Si晶粒的非晶态SiC结构,H原子主要以C-H键形式存在。高的射频功率和CH4/SiH4比均有利于Si-C的形成,而较低的CH4/SiH4比可以提高薄膜的晶态率。薄膜的电阻率随着CH4/SiH4比的增大而增大,随着射频功率的增大而减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李生初		22	31	3.0	4.0
2	胡水江		18	23	2.0	3.0
3	徐君		18	22	2.0	4.0
4	黄小华	南京航天航空大学材料科学与技术学院	4	4	1.0	1.0