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摘要:
带隙基准源在各种芯片中应用广泛,很多电子系能的性能直接受基准源的影响.论文提出一种采用电阻修整的带隙基准源的设计方法,通过修整来调节基准源由于受工艺等因素影响而产生的偏差,仿真结果表明,在-50℃到130℃的温度范围,基准源的电压偏差为2mV.
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内容分析
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文献信息
篇名 一种带隙基准源设计研究
来源期刊 科技信息 学科 工学
关键词 带隙基准 温度系数 电源抑制比
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目 机械与电子
研究方向 页码范围 232,191
页数 分类号 TN432
字数 980字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-9960.2012.01.156
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘志国 2 3 1.0 1.0
2 戴澜 北方工业大学信息学院微电子系 49 87 4.0 8.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准
温度系数
电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技信息
旬刊
1001-9960
37-1021/N
大16开
山东省济南市
24-72
1984
chi
出版文献量(篇)
124239
总下载数(次)
249
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255660
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