集成电路中铜互连工艺浅谈

• 作者: 邵士英
• 来源期刊: 中国电子商务
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 单镶嵌工艺 双镶嵌工艺
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 科技研究
• 页码范围: 99-99
• 页数: 1页
• 分类号: TN47
• 字数: 1838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-4067.2012.07.080

摘要

在甚大规规模集成电路（ULSI）设计中，随看特征足寸的降低，金属线变得更细，从而互联线的电阻增大，产生的热量增多，从而互连线金属铝原予在电流的作用下产生严重的电迁移现象，这大大影响了器件的性能。铜的电阻率低、抗电迁移率性较高，因此可让导线的厚度变薄；让多层布线的层数大大降低，使相邻导线间的电容减少；因电容引起的信号延迟、电力消耗、信号不正当传输等问题便能减低。它们构成的器件能满足高频、高集成度、大功率、大容量、使用寿命长的要求。本文将对铜制备过程中的一些相关问题进行探讨和研究。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵士英		5	5	1.0	2.0