退火对硫化方法制备ZnS薄膜特性的影响

• 作者: 卓雯 张仁刚 彭顺金 徐千山 王玉华 陈克亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS薄膜 溅射 空气退火 硫化
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 1154-1158
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2648字
• 语种: 中文

摘要

以反应磁控溅射方法沉积ZnO薄膜,然后在空气和H2S气氛中退火制备了六方相ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见透射光谱和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行表征.提高空气退火温度能够改善ZnS薄膜结晶性,而空气退火温度超过500℃则会降低ZnS薄膜结晶性.另外,当硫化退火温度低于400℃时,ZnO只能部分转变为ZnS,只有硫化温度等于或大于400℃时,ZnO才能全部转变为ZnS.硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜在可见光范围的透过率约为80％,带隙为3.61 ～3.70 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭顺金	武汉科技大学应用物理系	12	37	4.0	5.0
2	王玉华	武汉科技大学应用物理系	9	21	2.0	4.0
3	张仁刚	武汉科技大学应用物理系	8	17	3.0	3.0
4	卓雯	武汉科技大学应用物理系	5	13	2.0	3.0
5	陈克亮	武汉科技大学应用物理系	7	9	2.0	2.0
6	徐千山	武汉科技大学应用物理系	3	7	2.0	2.0