退火处理对磁控溅射制备CIGSe吸收层的影响

• 作者: 刘江 庄大明 张弓 栾和新
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 退火处理 磁控溅射 CIGSe
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 459-466
• 页数: 8页
• 分类号: TM615
• 字数: 3886字
• 语种: 中文

摘要

在Se气氛中对磁控溅射CIGSe靶材制备的CIGSe薄膜进行退火处理.采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall 等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分及电学性能的影响,并制备了CIGSe太阳电池.结果表明,采用磁控溅射CIGSe靶材+Se气氛中退火处理的方法,可制备得到成分均匀、电学性能优良、单一黄铜矿相的CIGSe薄膜；退火温度和退火时间是影响退火后薄膜质量的主要因素.退火温度低于350℃时,退火效果不明显.退火温度在400℃,退火时间达120min时,薄膜完成再结晶过程,并制得单一黄铜矿相的CIGSe薄膜；退火过程存在Cu-Se二次相的析出和消融,同时具有为薄膜补Se的作用.该文采用该方法制备出的CIGSe太阳电池最高转换效率为5.44％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
2	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
3	栾和新	清华大学机械工程系	8	14	1.0	3.0
4	刘江	清华大学机械工程系	13	91	5.0	9.0