深亚微米存储器各器件辐照特性研究

• 作者: 景欣 王佳宁 陆虹
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 总剂量 SONOS结构存储器 NMOSFET器件 PMOSFET器件
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 20-24,28
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 3978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2013.05.007

摘要

为了研究抗辐照的EEPROM,针对其系统中的关键元器件(高压NMOS、低压NMOS,高压PMOS、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了总剂量辐照实验的研究和分析,同时考虑FN、CHE编程的存储单元的辐照特性差别,为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验依据.实验结果表明辐照对低压管(低压NMOS和低压PMOS)的影响主要表现在漏电增加;辐照对高压管(高压NMOS和高压PMOS)的影响主要表现在阈值漂移;辐照对SONOS存储单元的影响主要表现在阈值漂移.从编程方法上讲FN编程有利于提高SONOS存储单元的抗辐照特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	景欣	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	2	1.0	1.0
2	王佳宁	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	2	1.0	1.0
3	陆虹	中国电子科技集团公司第四十七研究所	5	15	1.0	3.0