多晶硅片反应离子刻蚀制绒后扩散工艺的匹配性

• 作者: 巨小宝 徐挺 李锴 秦应雄 豆维江
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅片 反应离子刻蚀制绒 扩散 方块电阻 转换效率
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 光电子学与光电子器件
• 页码范围: 649-653
• 页数: 5页
• 分类号: TM914
• 字数: 3613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20134206.0649

摘要

研究了多晶硅片在反应离子刻蚀制绒后与扩散工艺的匹配性.在相同的扩散工艺下,反应离子刻蚀制绒后硅片的方块电阻值比酸制绒工艺硅片的方块电阻值高3～11 Ω/□,而且其方块电阻不均匀度值约为普通酸制绒工艺硅片的方块电阻不均匀度值的80％.测试了反应离子刻蚀制绒后多晶硅太阳能电池的外量子效率,其外量子效率在340～1 000 nm波段范围与酸制绒多晶硅太阳能电池相比提高了约10％.对反应离子刻蚀制绒电池的电性能进行了分析,提出了与反应离子刻蚀制绒工艺匹配的高方阻扩散工艺.通过优化调整扩散工艺气体中的小氮和干氧流量,获得了在80 Ω/口方块电阻下,反应离子刻蚀制绒多晶硅电池的光电转换效率提升至17.51％,相对于酸制绒多晶硅电池的光电转换效率提高了0.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦应雄		44	299	10.0	14.0
3	李锴		6	13	2.0	3.0
4	豆维江		5	17	2.0	4.0
5	徐挺		3	11	1.0	3.0
8	巨小宝		3	17	2.0	3.0