创意电子发布28nm DDR3-2133/LPDDR2复合式IP

• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: DDR3 复合式 电子 创意 DDR系统 控制器 PHY 台积电
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 42
• 页数: 1页
• 分类号: TP911.7
• 语种: 中文

摘要

创意电子日前推出28nm DDR3-2133/LPDDR2组合PHY与控制器IP.全新的复合式IP使用台积电28nmHPM制程,提供PHY、控制器与DDR系统完整的解决方案.