富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品

• 作者: 江安庆
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 氮化镓 栅极电荷 硅衬底 汽车电子 品质因数 击穿电压 OMEGA 数据通信设备 初始状态
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（4）
• 页码范围: 8-9
• 页数: 2页
• 分类号: TN626

摘要

【正】富士通半导体(上海)有限公司近日宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件,用户可以设计出体积更小,效率更高的电源组件,可广泛的运用于ICT设备、工业设备和汽车电子等领域。MB51T008A具有许多优点,包括:1)导电阻13 mΩ,总栅极电荷