脉冲放电强度对磁控溅射Cr薄膜微观结构的影响

• 作者: 宁富平 张潜 曹政 沈建东 蒋百灵
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲 异常辉光放电 非平衡磁控溅射 Cr薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 157-161
• 分类号: TG174.44
• 语种: 中文

摘要

在脉冲非平衡磁控溅射环境中,通过提高脉冲靶电压(分别为600、700及800 V)使工作气体Ar获得3种不同强度的异常辉光放电状态(单脉冲峰值靶功率密度分别为10、30及70 W/cm2),并分别制备Cr薄膜.利用SEM、AFM、XRD及TEM等方法研究、比较了非平衡磁控溅射Cr薄膜的微观结构在不同Ar气脉冲异常辉光放电强度条件下的差异.结果表明,随Ar气脉冲异常辉光放电强度的增强:Cr薄膜沉积速率显著提高,薄膜表面粗糙度略有增大,但表面颗粒未出现长大现象,且尺寸均匀、细小,择优生长的Cr(110)晶面的衍射峰强度明显降低,结晶效果逐渐降低.不同异常辉光放电强度条件下制备的Cr薄膜均以柱状方式生长,微观组织呈现出纳米级尺度的晶粒(直径5 ～ 10 nm)镶嵌式分布的形态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料科学与工程学院	241	5240	40.0	64.0
2	曹政	西安理工大学材料科学与工程学院	12	52	5.0	6.0
3	沈建东	西安理工大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0
4	宁富平	西安理工大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0
5	张潜	西安理工大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0