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摘要:
忆阻器是蔡少棠教授发现的第四种无源二端元件。该文首先阐述了忆阻器的理论概念和实现原理,介绍了惠普实验室制造的一种纳米忆阻器实现方案;进而介绍了一种M-R型忆阻器有源仿真模型,从数学的角度论述了这种有源仿真模型的电路学原理;最后该文根据忆阻器记忆电荷时的连续工作特性提出了一种N进制加法器的设计方案,为提高计算机的运算能力提供了一种新的设计思路,具有积极的探索意义。
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文献信息
篇名 基于忆阻器的N进制加法器设计方案研究
来源期刊 电脑知识与技术:学术交流 学科 工学
关键词 忆阻器 N进制 加法器
年,卷(期) 2013,(11X) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 7622-7624
页数 3页 分类号 TP332.21
字数 语种
DOI
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作者信息
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1 朱敏 21 41 4.0 5.0
2 贺峰 6 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
忆阻器
N进制
加法器
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑知识与技术:学术版
旬刊
1009-3044
34-1205/TP
安徽合肥市濉溪路333号
26-188
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