硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管

• 作者: 吕奇峰 杨富华 洪文婷 王昊 韩伟华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应晶体管(FET) Ⅲ-Ⅴ族纳米线 硅衬底 气相-液相-固相生长 选择区域生长(SAG)
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 345-354
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.06.001

摘要

硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向.首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制.在此基础上,介绍了垂直结构和水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的制备方法.研究表明,垂直结构纳米线容易实现高密度生长,而水平结构纳米线有利于逻辑栅的制作.通过比较垂直生长、水平生长、衬底转移和自上而下纳米加工技术制备Ⅲ-Ⅴ族纳米线的工艺优缺点,为水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线在硅衬底上的大面积异构集成及其器件的制作提供了新的解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王昊	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	65	409	9.0	19.0
2	韩伟华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	20	98	5.0	9.0
3	杨富华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	49	227	9.0	14.0
4	吕奇峰	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	3	3	1.0	1.0
5	洪文婷	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	2	0	0.0	0.0