8nm基区宽度负阻双异质结晶体管的设计与研制

• 作者: 张世林 毛陆虹 王伊钿 谢生 郭维廉
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 哲学
• 关键词: 双异质结晶体管 微分负电阻 InGaP 分子束外延 纳米级器件
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 32-36
• 分类号: TN3|B.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2014.01.006

摘要

本文利用分子束外延(MBE)技术能精确控制外延层厚度的特点,与选择性腐蚀技术相结合,实现了纳米级超薄基区宽度.利用集电极电压VCE调制中性基区宽度可以改变基极电阻,从而产生微分负电阻(NDR),根据这一物理机制,设计并研制成功性能优良的8 nm基区n-InGaP/P+-GaAs/n-InGaP负阻双异质结晶体管(NDRDHBT).该器件显示出基极电压VBE调制的“∧”型负阻集电极电流IC-集电极电压VCE特性,电流峰谷比(PVCR)趋于无穷大;表征基极电压调制电流能力的峰值电流跨导△IP/△VBE高达11.2 ms;击穿电压达到12 V,可用于高频振荡调制和高速数字电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院	109	334	8.0	11.0
3	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
4	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
5	王伊钿	天津大学电子信息工程学院	4	7	2.0	2.0