CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究

• 作者: 上官士鹏 余永涛 封国强 蔡明辉 陈睿 韩建伟
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子锁定 敏感区定位 单粒子锁定频次 静态存储器 脉冲激光试验
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 地面模拟试验技术
• 页码范围: 150-153
• 页数: 4页
• 分类号: V416.5|TN432|TN248
• 字数: 2209字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2014.02.007

摘要

利用脉冲激光定位成像系统，对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应（SEL）敏感区定位的试验研究。试验结果表明：该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布，而对于单一的SEL敏感区，其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL敏感区的分布对测试方法和空间SEL发生频次计算的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡明辉	中国科学院国家空间科学中心	29	108	7.0	9.0
2	韩建伟	中国科学院国家空间科学中心	90	549	14.0	18.0
3	陈睿	中国科学院国家空间科学中心	35	512	12.0	22.0
4	余永涛	中国科学院国家空间科学中心	8	40	4.0	6.0
8	封国强	中国科学院国家空间科学中心	22	139	6.0	10.0
9	上官士鹏	中国科学院国家空间科学中心	12	54	4.0	6.0