高温环境下SRAM器件单粒子锁定效应试验研究

• 作者: 于庆奎 吕贺 孙毅 张洪伟 李晓亮 李鹏伟 梅博 莫日根
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM器件 重离子辐照 单粒子锁定 高温环境 工作电压 试验研究
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 火星及木星环境
• 页码范围: 589-593
• 页数: 5页
• 分类号: TN406|V416.5
• 字数: 2212字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12126/see.2019.06.009

摘要

深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应.着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于庆奎		8	10	2.0	3.0
2	孙毅		4	9	2.0	3.0
3	梅博		6	9	2.0	3.0
4	李晓亮		2	1	1.0	1.0
5	李鹏伟		4	0	0.0	0.0
6	吕贺		2	0	0.0	0.0
7	莫日根		1	0	0.0	0.0
8	张洪伟		6	7	2.0	2.0