大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究

• 作者: 余永涛 冯发明 水春生 王小强 费武雄 陈毓彬
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子效应 大容量SRAM 抗辐射加固 Bulk CMOS工艺 SOI CMOS工艺 重离子射程
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 技术实践
• 页码范围: 462-467
• 页数: 6页
• 分类号: V520.6|TN406
• 字数: 3211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12126/see.2018.05.010

摘要

针对宇航用大容量SRAM器件抗单粒子效应性能的试验评估需要,利用重离子加速器对抗辐射加固32 M Bulk CMOS工艺SRAM和16 M SOI CMOS工艺SRAM进行了单粒子效应模拟试验研究,获得SRAM器件单粒子效应特性并进行在轨翻转率预估;对单粒子翻转试验中重离子射程的影响,不同SEU类型的翻转截面差异,在轨翻转率预估的有关因素等进行了分析讨论.结果表明,这2款抗辐射加固SRAM器件都达到了较高的抗单粒子效应性能指标.试验结果可以为SRAM器件的单粒子效应试验评估提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小强		35	41	3.0	4.0
2	费武雄		4	4	2.0	2.0
3	余永涛		8	6	1.0	1.0
4	陈毓彬		8	7	2.0	2.0
5	水春生		3	0	0.0	0.0
6	冯发明	华南理工大学电子与信息学院	1	0	0.0	0.0