纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究

• 作者: 周辉 张凤祁 张科营 王燕萍 罗尹虹 郭红霞
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米SRAM 单粒子效应 多位翻转 测试图形 倾角
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 2705-2710
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132510.2705

摘要

针对90 nm和65 nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究.分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可行性进行了分析.研究表明:特征尺寸减小导致翻转截面降低,测试图形和工作电压对器件单粒子翻转截面影响不大；随着入射角度增加,多位翻转的增加导致器件SEU截面有所增大；余弦倾角的试验方法对于纳米器件的适用性与离子种类和线性能量转移(LET)值相关,具有很大的局限性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周辉		84	938	16.0	26.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	王燕萍		11	66	6.0	7.0
6	张科营		23	111	7.0	8.0