PIN结构GaN基α粒子探测器的设计

• 作者: 彭新村 朱志甫 王仁波 邹继军 魏雄 黄河
• 来源期刊: 东华理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaN PIN α粒子 射程
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 245-248
• 页数: 4页
• 分类号: TL817.2
• 字数: 2436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-3504.2014.02.022

摘要

根据Bragg公式及L.S.S理论,计算分析了241Am放射性源在GaN及合金材料中的射程及能量损失比,利用SRIM模拟仿真241 Am在GaN中的射程及能量损失比,得出了最佳PIN结构中Ⅰ层的厚度,优化设计了GaN基α粒子探测器的PIN结构,为MOCVD技术制备PIN结构GaN基α粒子探测器提供了理论依据和实验参考数据.