采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较

• 作者: 严进一 周海飞 康传振 王凯 王庶民 龚谦
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 分子束外延 InGaP InAlP 张应变Ge
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 787-791,802
• 分类号: N304.1
• 语种: 中文

摘要

我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质.利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8％,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0％.通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响.通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚谦	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	11	1.0	3.0
2	周海飞	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	王凯	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	康传振	曲阜师范大学物理工程学院	1	1	1.0	1.0
5	严进一	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	2	1.0	1.0