多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究

• 作者: 刘政鹏 孟志国 李娟 熊绍珍 罗翀
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅(poly-Si) 氢等离子体 缺陷态 钝化机理
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 研究 开发
• 页码范围: 03088-03091
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 3068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.03.020

摘要

研究了氢等离子体钝化多晶硅(poly-Si)薄膜中缺陷态的详细物理机制。结果表明，多晶硅中不同的缺陷态需要不同的氢等离子体基团予以钝化。 Hα具有较低的能量，主要钝化悬挂键类缺陷态；H*具有较高的能量，对钝化晶界附近与镍杂质相关的缺陷态更有效；Hβ和 Hγ具有的能量最高，可以用来钝化晶粒内部的缺陷态。这些分析和结果有利于优化 H等离子体钝化多晶硅的条件，进一步提高多晶硅性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗翀	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室	6	25	3.0	5.0
2	孟志国	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室	26	145	6.0	11.0
3	李娟	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室	33	181	6.0	12.0
4	刘政鹏	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室	2	2	1.0	1.0