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磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响
磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响
作者:
刘晓伟
李梁梁
郝昭慧
郭会斌
郭总杰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
薄膜晶体管阵列工艺
磁控溅射
纯铝薄膜
小丘
量产良率
摘要:
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
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篇名
磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响
来源期刊
液晶与显示
学科
工学
关键词
薄膜晶体管阵列工艺
磁控溅射
纯铝薄膜
小丘
量产良率
年,卷(期)
2014,(4)
所属期刊栏目
器件物理及器件制备技术
研究方向
页码范围
548-552
页数
5页
分类号
TB31
字数
1845字
语种
中文
DOI
10.3788/YJYXS20142904.0548
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
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郭总杰
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郭会斌
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刘晓伟
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李梁梁
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液晶与显示
主办单位:
中科院长春光学精密机械与物理研究所
中国光学光电子行业协会液晶分会
中国物理学会液晶分会
出版周期:
月刊
ISSN:
1007-2780
CN:
22-1259/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路3888号
邮发代号:
12-203
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
3141
总下载数(次)
7
总被引数(次)
21631
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